1947年12月23日，美国科学家巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士，在导体电路中进行用史上具有划时代意义的成果一一晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称．为“献给世界的圣诞节礼物”。

　　1947年12月，美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一－种点接触型的锗晶体管。晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的诞生吹响了号角。20世纪最初的10年，通信系统已开始应用半导体材料。20世纪上半叶，在无线电爱好者中广泛流行的矿石收音机，就采用矿石这种半导体材料来检波。半导体的电学特性也在电话系统中得到了应用。

　　晶体管是一－种半导体器件，放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块。由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。

　　1950年：威廉·邵克雷开发出双极晶体管（Bipolar Junction Transistor），这是现在通行的标准的晶体管。

　　1954年10月18日：第一台晶体管收音机Regency TR1投入市场，仅包含4只锗晶体管。

　　1961年4月25日：第一个集成电路专利被授予罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）。最初的晶体管对收音机和电话而言已经足够，但是新的电子设备要求规格更小的晶体管，即集成电路。

　　1965年：摩尔定律诞生。当时，戈登·摩尔（Gordon Moore）预测，未来一个芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一倍（至今依然基本适用），摩尔定律在Electronics Magazine杂志一篇文章中公布。

　　1968年7月：罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔从仙童（Fairchild）半导体公司辞职，创立了一个新的企业，即英特尔公司，英文名Intel为“集成电子设备（integrated electronics）”的缩写。

　　1969年：英特尔成功开发出第一个PMOS硅栅晶体管技术。这些晶体管接着使用传统的二氧化硅栅介质，但是引入了新的多晶硅栅电极。

　　1971年：英特尔发布了其第一个微处理器4004。4004规格为1／8英寸 x 1／16英寸，包含仅2000多个晶体管，采用英特尔10微米PMOS技术生产。

　　1978年，英特尔发布了第一款16位处理器8086。含有2．9万个晶体管。

　　1978年：英特尔标志性地把英特尔8088微处理器销售给IBM新的个人电脑事业部，武装了IBM新产品IBM PC的中枢大脑。16位8088处理器为8086的改进版，含有2．9万个晶体管，运行频率为5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推动英特尔进入了财富（FORTUNE） 500强企业排名，《财富（FORTUNE）》杂志将英特尔公司评为“70年代商业奇迹之一（Business Triumphs of the Seventies）”。

　　1982年：286微处理器（全称80286，意为“第二代8086”）推出，提出了指令集概念，即现在的x86指令集，可运行为英特尔前一代产品所编写的所有软件。286处理器使用了13400个晶体管，运行频率为6MHz、8MHz、10MHz和12．5MHz。

　　1985年：英特尔386微处理器问世，含有27．5万个晶体管，是最初4004晶体管数量的100多倍。386是32位芯片，具备多任务处理能力，即它可在同一时间运行多个程序。

　　1993年：英特尔·奔腾·处理器问世，含有3百万个晶体管，采用英特尔0．8微米制程技术生产。

　　1999年2月：英特尔发布了奔腾·III处理器。奔腾III是1x1正方形硅，含有950万个晶体管，采用英特尔0．25微米制程技术生产。

　　2002年1月：英特尔奔腾4处理器推出，高性能桌面台式电脑由此可实现每秒钟22亿个周期运算。它采用英特尔0．13微米制程技术生产，含有5500万个晶体管。

　　2002年8月13日：英特尔透露了90纳米制程技术的若干技术突破，包括高性能、低功耗晶体管，应变硅，高速铜质接头和新型低－k介质材料。这是业内首次在生产中采用应变硅。

　　2003年3月12日：针对笔记本的英特尔·迅驰·移动技术平台诞生，包括了英特尔最新的移动处理器“英特尔奔腾M处理器”。该处理器基于全新的移动优化微体系架构，采用英特尔0．13微米制程技术生产，包含7700万个晶体管。

　　2005年5月26日：英特尔第一个主流双核处理器“英特尔奔腾D处理器”诞生，含有2．3亿个晶体管，采用英特尔领先的90纳米制程技术生产。

　　2006年7月18日：英特尔安腾2双核处理器发布，采用世界最复杂的产品设计，含有2．7亿个晶体管。该处理器采用英特尔90纳米制程技术生产。

　　2006年7月27日：英特尔·酷睿2双核处理器诞生。该处理器含有2．9亿多个晶体管，采用英特尔65纳米制程技术在世界最先进的几个实验室生产。

　　2006年9月26日：英特尔宣布，超过15种45纳米制程产品正在开发，面向台式机、笔记本和企业级计算市场，研发代码Penryn，是从英特尔酷睿微体系架构派生而出。2007年1月8日：为扩大四核PC向主流买家的销售，英特尔发布了针对桌面电脑的65纳米制程英特尔酷睿2四核处理器和另外两款四核服务器处理器。英特尔酷睿2四核处理器含有5．8亿多个晶体管。

　　2007年1月29日：英特尔公布采用突破性的晶体管材料即高－k栅介质和金属栅极。英特尔将采用这些材料在公司下一代处理器——英特尔酷睿2双核、英特尔酷睿2四核处理器以及英特尔至强系列多核处理器的数以亿计的45纳米晶体管或微小开关中用来构建绝缘“墙”和开关“门”，研发代码Penryn。

　　2010年11月，NVIDIA发布全新的GF110核心，含30亿个晶体管，使用先进的40纳米工艺制造。

　　2011年05月05 日：英特尔成功开发世界首个3D晶体管，称为tri－Gate。除了英特尔将3D晶体管应用于22纳米工艺之后，三星，GlobalFoundries，台积电和台联电都计划将类似于Intel的3D晶体管技术应用到14纳米节点上 。

　　2015年，Intel的处理器芯片Knights Landing Xeon Phi，内含约zhi80亿个晶体管，采用12纳米制dao程。同年，IBM宣布了7纳米制程研制成功。基于该技术的服务器芯片将含200亿个警晶体管。

　　2016年7月，发布的2015年国际半导体技术路线图（ITRS）做出预测，经历了50多年的微型化，晶体管的尺寸可能将在5年后停止缩减。

　　（MOSFET）类型，它们在多个角度存在非常明显的差异。以下将从结构、工作原理、性能特点、应用场景等方面详细阐述NMOS

　　在电子领域中都扮演着重要角色，但它们在结构、工作原理和应用方面存在非常明显的区别。以下是对两者区别的详细阐述。

　　是一种半导体器件，大范围的应用于电子设备中。它具有三个主要的引脚：基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。

　　的工作原理是经过控制基极和发射极之间的电流，来控制集电极和发射极之间的电流。

　　，当时贝尔实验室的约翰·巴丁、沃尔特·布拉顿和威廉·肖克利共同发明了点接触

　　。这一发明标志着电子学领域的一次革命，因为它为电子设备提供了一种体积小、功耗低、可靠性高的开关元件。随后，

　　的结构特点在于其三个不同的半导体区域：正极（P型）、负极（N型）、正极（P型

　　测试仪电路图 /

　　在美国贝尔实验室诞生以来，它便以其独特的性能和广泛的应用前景，迅速改变了电子工业的面貌。

　　。这小东西在电子科技类产品里就像是继电赛跑的选手，开关的速度决定了电子设备的快慢。那么，怎么样才可以提高

　　快如闪电 /

　　（Darlington Transistor）也称为达林顿对（Darlington Pair），是由两个或更多个双极性

　　（或其他类似的集成电路或分立元件）组成的复合结构。通过这种结构，第一个双极性

　　的基本电路 /

　　的偏置定义和方式 /

　　出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。

　　的延生、结构及分类 /

　　的工作原理就像电子开关，它能打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把

　　区别 /

　　是半导体器件的一种，应用广泛，可以在计算机、电视、手机等各种设备中使用。

　　工作时很稳定，但是如果不注意使用、维护，很容易损坏。下面为您介绍几种避免